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期刊简介

《微电子学》期刊已被查看： 次

更新频次

高频栏目:

电路与系统设计-100%-期平均发文量17篇
半导体器件与工艺-100%-期平均发文量5篇

中频栏目:

产品与可靠性-50.0%-期平均发文量2篇
动态综述-66.7%-期平均发文量3篇
测试与封装-33.3%-期平均发文量1篇

低频栏目:

“电子器件辐射效应与加固技术”专题-16.7%-期平均发文量11篇
2023年06期其他-16.7%-期平均发文量2篇
动态与综述-16.7%-期平均发文量1篇
模型与算法-16.7%-期平均发文量1篇

单位占比

普本-18.7%
双一流-18.1%
985高校-18.1%
研究院所-17.5%
211高校-13.9%
公司企业-9.0%
C9高校-3.0%
高职高专-1.2%
民办本科-0.6%

一作占比

/有基金-2.4%
/副高/无基金-1.2%
/副高/有基金-4.2%
/正高/有基金-1.8%
/中级/无基金-1.2%
/中级/有基金-0.6%
本科/有基金-1.2%
博士/无基金-0.6%
博士/有基金-1.8%
硕士/有基金-6.1%
硕士/初级/无基金-0.6%
硕士/副高/无基金-0.6%
硕士/副高/有基金-4.8%
硕士/中级/无基金-1.8%
硕士/中级/有基金-2.4%
硕一导二/无基金-2.4%
硕一导二/有基金-29.7%
在读本科/有基金-0.6%
在读硕士/有基金-17.0%
博士/副高/有基金-3.6%
博士/正高/无基金-0.6%
博士/正高/有基金-4.8%
博士/中级/无基金-0.6%
博士/中级/有基金-3.0%
博一导二/有基金-3.6%
本科/副高/有基金-0.6%
本科/正高/有基金-0.6%
本科/中级/有基金-0.6%
本一导二/有基金-0.6%

投稿指南

1、投稿方式：在线投稿。

2、刊内网址（202403期）：

http://www.microelec.cn/

3、刊内电话：023-62834360

4、刊内邮箱：

wdzx@sisc.com.cn；wdzx128@sina.com

5、出刊日期：双月刊，逢双月20日出版。

2024年8月21日星期三

《微电子学》稿约

【官网信息】

1. 《微电子学》是中国电子科技集团公司第二十四研究所主办的学术类科技期刊。《微电子学》坚持以科研生产为中心，贯彻“百花齐放、百家争鸣”的方针，以传播、普及、推广微电子科学技术知识为己任，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态，以及读者感兴趣的新理论、新工艺、新材料、新产品等。

2. 《微电子学》是我国无线电电子学、电信技术类中文核心期刊，目前已被英国INSPEC、俄罗斯《文摘》杂志、美国《化学文摘》、《剑桥科学文摘》、日本《科学技术文献速报》等国外知名数据库收录。

3. 《微电子学》报道范围：微电子与固体电子学基础理论，微电子器件与电路，模拟集成电路和专用集成电路（ASIC），模拟/数字、数字/模拟转换集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路测试与封装技术，多芯片组件（MCM）技术，集成电路可靠性技术，片上系统（SOC）等。

4. 来稿应主题明确，论证严谨，数据可靠，叙述清楚，文字精炼，内容应保守国家机密，引用他人作品应给出来源。文章应包含200字左右的摘要和3～8个关键词，并附上相应的英文题名、摘要、关键词、作者单位正式对外英译名。文后应附50字以内的第一作者简历（含姓名、出生年月、性别、籍贯、民族等）。基金资助论文应注明项目名称和编号。

5. 文稿著作权属于作者，文责由作者自负，如摘引他人作品，务请写明原作者姓名、文章题名、来源，一并在参考文献中给出，并在正文的相应位置进行标示。

6. 文稿不应涉及国家秘密或作者所在单位的商业秘密，论文在投稿前需经过作者所在单位保密机构的保密审查并得到批准后，方可在本刊网站进行投稿，如作者未经审批，擅自投稿而造成失泄密事件的，一切后果概由作者自行负责。

7.来稿请勿一稿多投。投稿70天后未接到稿件录用通知，作者可自行处理。

8.本刊可对稿件的文字进行修改或适当的删减，作者如不同意，务请在投稿时声明。

9.本刊对已录用稿件按1000元/篇收取版面费。稿件刊登后，按国家有关规定酌致稿酬，同时赠送当期刊物2册。

10. 本刊已加入“中国知网”（http://www.cnki.net）等网络数据库，作者文章著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。作者如不同意文章上网，请在投稿时声明，本刊将作适当处理。

《微电子学》投稿指南

【官网信息】

本刊稿件的发表包含电子版（光盘或DVD）和网络版（全文上网），作者如不同意，请在投稿时说明。投稿前请先进行注册，并按提示进行操作。

本刊欢迎涉及微电子学与固体电子学基础理论，微电子器件与电路，模拟集成电路和专用集成电路（ASIC）的设计和测试，片上系统（SOC）， MEMS技术，半导体工艺和制造技术，集成电路测试与封装等领域的稿件。

来稿须知：

1. 稿件一经录用，第一作者的姓名与单位不能更改；

2. 稿件一经录用，默认作者已授权，该文章接受网络首发；

3. 文章的参考文献最好超过10篇；

4. 文章内容经cnki学术不端检测后，重复比例不能超过10%。

5. 禁止一稿多投。若文章被录用，在发表之前，编辑部会对文章再次检测，若重复比例超过10%，仍不予以发表。

稿件格式要求：

1 标题和摘要。论文标题不超过20个汉字。中英文摘要应简明扼要，说明文章的目的，主要工作过程及使用的方法，研究工作最后得到的结果和结论。中文摘要不超过300个汉字，英文摘要不超过150个英文单词。

2. 图表。插图宽度应小于8 cm。电路仿真图及其他计算机生成的图形需用图形处理软件进行必要的处理，使图中的文字和数字符合本刊要求。若图中有坐标，需注明坐标所表示的物理量（斜体）和单位（正体）。表格提倡三线表，必要时可加辅助线。

3. 量和单位。文中的物理量和单位应符合国家有关标准。注意区分外文字母的大、小写和正、斜体，上下角标要标示清楚。计量单位请用GB3100—3102—93《量和单位》规定的法定计量单位。

4. 参考文献著录应符合国家相关标准《文后参考文献著录规则》（GB/T 7714-2005），主要有以下几种形式：

a. 专    著：[序号]　著者. 书名 [M]. 出版地: 出版者，出版年：起止页码（任选）.

b. 期  　刊：[序号]　著者. 篇名 [J]. 刊名，出版年；卷号（期号）： 起止页码.

c. 会议论文：[序号] 著者. 篇名 [C] // 会议名称. 会议地点. 出版年：起止页码.

5. 作者简介。作者简介应包括：作者姓名（出生年），性别（民族），籍贯，职称/学位，及主要研究方向。

6. 作者署名。论文署名是一件十分严肃的事情。在论文上署名的作者应为参与论文撰写，或对论文所涉及的研究工作有贡献的人，所有署名作者均应对文章内容负责。凡合著的论文，投稿前应仔细斟酌，考虑周全，并征得所有合著者的同意。文章投稿后，第一作者一般不得改动，其他作者及署名顺序也尽量不要变动，如确需变动，应由第一作者向编辑部出示所有合著者同意并亲笔签名（盖章）的函件。文章一旦录用，第一作者不可更改。